次領域一

前瞻矽基元件與材料 (Emerging Si-Based Devices and Materials):
結合交大與清大相關團隊、以矽基(Si-Based) CMOS、快閃記憶體的核心技術為主軸,研發提供未來CMOS元件未能持續scaling後的解決方案。

次領域二

新世代奈米材料及元件(Nanostructure Based Meta-Materials and Devices):
以半導體奈米結構為基礎,探討新世代超物質(Meta-Material) 及其在電子元件上的應用。建立世界級低溫磁光實驗室探討電子、光子、聲子、電漿子的交互作用。並以此為基礎開發光導體致冷晶片及兆赫波元件。

次領域三

兆赫波電路與系統 (Tera Hz Circuits and Systems):
發展矽基Tera Hz電路設計及模擬技術,利用先進的積體電路技術配合新型高速矽基元件來實現Tera Hz電路。開發3D封裝載具來實現Tera Hz系統。發展Tera Hz量測技術,來測試開發的電路及系統。

次領域四

綠能運算與儲存IC (Green Computing and Storage IC):
探討適合於下世代智慧型可攜式行動裝置及其新應用,研發關鍵的系統架構、感測及通訊電路設計技術、輿操作於次臨界電壓的儲存記憶體,以達成微瓦級的低功耗系統實現方案。